真空鍍膜過(guò)程非常復雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類(lèi)，僅僅因為都需要高真空度而擁有統一名稱(chēng)。所以對于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個(gè)概念本身也會(huì )隨著(zhù)鍍膜尺度和薄膜成分而有著(zhù)不同的意義。

　　薄膜均勻性的概念：

　　1、厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看(也就是1/10波長(cháng)作為單位，約為100A)，真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見(jiàn)光波長(cháng)的1/10范圍內，也就是說(shuō)對于薄膜的光學(xué)特性來(lái)說(shuō)，真空鍍膜沒(méi)有任何障礙。

　　但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說(shuō)要實(shí)現10A甚至1A的表面平整，是現在真空鍍膜中主要的技術(shù)含量與技術(shù)瓶頸所在，具體控制因素下面會(huì )根據不同鍍膜給出詳細解釋。

　　2、化學(xué)組分上的均勻性：

　　就是說(shuō)在薄膜中，化合物的原子組分會(huì )由于尺度過(guò)小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過(guò)程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。

　　3、晶格有序度的均勻性：

　　這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問(wèn)題，具體見(jiàn)下。

　　主要分類(lèi)有兩個(gè)大種類(lèi)： 一、對于蒸發(fā)鍍膜： 一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)，并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程(散點(diǎn)-島狀結構-迷走結構-層狀生長(cháng))形成薄膜。

　　厚度均勻性主要取決于：

　　1、基片材料與靶材的晶格匹配程度

　　2、基片表面溫度

　　3、蒸發(fā)功率，速率

　　4、真空度

　　5、鍍膜時(shí)間，厚度大小。

　　組分均勻性： 蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

　　晶向均勻性： 1、晶格匹配度;2、基片溫度;3、蒸發(fā)速率.