蒸發(fā)鍍膜機廠(chǎng)家講解化合物的蒸鍍

　　化合物的蒸鍍方法有3種：直接蒸鍍法、反應蒸鍍法和雙蒸發(fā)源蒸鍍法。

　　在使用直接蒸鍍法時(shí)，化合物可能發(fā)生如下變化：化合物的組成不發(fā)生變化r可以直接沉積得到化合物薄膜;加熱時(shí)，化合物分解形成含有多種氣相成分的蒸氣，沉積時(shí)得到的是某些氣相成分的薄膜;化合物加熱時(shí)分解，得不到薄膜，前兩種情況均可以制取化合物薄膜，但是在應用時(shí)，應注意加熱溫度條件，因為某些情況下，加熱溫度不同，各種氣相成分的組成不同，獲得的薄膜也就不同。

　　反應蒸鍍法是在充滿(mǎn)活性氣體的條件下，蒸發(fā)固體材料，使之在基片上進(jìn)行反應獲得化合物薄膜的方法。這種方法凈常用于鍍制高熔點(diǎn)化合物薄膜。