磁控濺射包括很多種類(lèi)。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

　　靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)和非平衡磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線(xiàn)閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高，但由于電子沿磁力線(xiàn)運動(dòng)主要閉合于靶面，基片區域所受離子轟擊較小.非平衡磁控濺射技術(shù)概念，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內磁極，兩極磁力線(xiàn)在靶面不完全閉合，部分磁力線(xiàn)可沿靶的邊緣延伸到基片區域，從而部分電子可以沿著(zhù)磁力線(xiàn)擴展到基片，增加基片區域的等離子體密度和氣體電離率.不管平衡非平衡，若磁鐵靜止，其磁場(chǎng)特性決定一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉磁場(chǎng)。但旋轉磁場(chǎng)需要旋轉機構，同時(shí)濺射速率要減小。旋轉磁場(chǎng)多用于大型或貴重靶。如半導體膜濺射。對于小型設備和一般工業(yè)設備，多用磁場(chǎng)靜止靶源。

　　用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便。這是因為靶(陰極)，等離子體，和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容。這樣在絕緣回路中靶材成了一個(gè)電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時(shí)接地技術(shù)很復雜，因而難大規模采用。為解決此問(wèn)題，發(fā)明了磁控反應濺射。就是用金屬靶，加入氬氣和反應氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉化，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。磁控反應濺射絕緣體看似容易，而實(shí)際操作困難。主要問(wèn)題是反應不光發(fā)生在零件表面，也發(fā)生在陽(yáng)極，真空腔體表面，以及靶源表面。從而引起滅火，靶源和工件表面起弧等。德國萊寶發(fā)明的孿生靶源技術(shù)，很好的解決了這個(gè)問(wèn)題。其原理是一對靶源互相為陰陽(yáng)極，從而陽(yáng)極表面氧化或氮化。

　　冷卻是一切源(磁控，多弧，離子)所必需，因為能量很大一部分轉為熱量，若無(wú)冷卻或冷卻不足，這種熱量將使靶源溫度達一千度以上從而溶化整個(gè)靶源。